Сверхбыстрая связь вырывается из лабораторий. Физики смогли разместить терагерцовые технологии на одной микросхеме

leer en español

6187
Сверхбыстрая связь вырывается из лабораторий. Физики смогли разместить терагерцовые технологии на одной микросхеме

Учёные впервые разместили терагерцовый передатчик и приёмник на одном полупроводниковом чипе.

image

Терагерцовые технологии десятилетиями обещают сверхбыструю связь и новые способы получать изображения, но до сих пор требуют громоздкого лабораторного оборудования. Специалисты Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA) показали, как разместить основные элементы такой системы на одном полупроводниковом кристалле.

Терагерцовый диапазон находится между микроволнами и инфракрасным излучением. Сигналы в этой части спектра могут передавать данные быстрее современных беспроводных сетей, а также проникать через некоторые материалы и помогать досматривать грузы, проверять промышленную продукцию и анализировать химический состав. На практике эту технологию пока сложно использовать из-за дорогих и сложных источников и приёмников излучения.

Авторы работы использовали квантовые ямы, то есть сверхтонкие слои полупроводника, которые уже применяют в фотонных микросхемах. Ранее считалось, что электроны задерживаются в таких структурах слишком долго и мешают работе на терагерцовых частотах. Учёные измерили и показали, что частицы покидают квантовые ямы менее чем за одну триллионную долю секунды.

На основе арсенида галлия и алюминий-галлиевого арсенида специалисты создали фотодиоды, способные как формировать, так и принимать терагерцовые сигналы. Чтобы генерировать излучение, устройство освещают двумя лазерами с немного различающимися частотами. При наложении световых волн возникает электрическое колебание, частота которого равна разнице между частотами лазеров.

Опытный образец работал в диапазоне от 100 до 500 ГГц. Размещённый на том же кристалле полупроводниковый оптический усилитель примерно в десять раз повысил эффективность, с которой генерируется сигнал, и одновременно снизил требуемую мощность лазерного излучения.

Разработчики назвали платформу Monolithically Integrated Terahertz Optoelectronics. Архитектура позволяет размещать на общей подложке источники, приёмники, усилители, модуляторы и другие фотонные компоненты. Чтобы производить платформу, подходят технологические процессы, которые уже используют коммерческие предприятия, выпускающие фотонные микросхемы.

Пока прототип получает свет от внешних лазеров, однако в дальнейшем разработчики планируют встроить перестраиваемые лазеры непосредственно в кристалл. Такой подход позволит создавать компактные терагерцовые передатчики, системы, которые получают изображения, датчики химических веществ и приборы, которые ведут наблюдение на расстоянии.

Пока платформу рано выпускать серийно. Специалистам предстоит повысить характеристики платформы, добавить новые компоненты и объединить источники и приёмники в крупные массивы. Результаты работы опубликованы в журнале Nature Communications.